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光刻工藝過程一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘。缺點(diǎn):光刻膠污染掩膜板;掩膜板的磨損,壽命很低(只能使用～次);前使用,分辨率。

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